FDG312P
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDG312P |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1649+ | $0.18 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SC-88 (SC-70-6) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 750mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.2A (Ta) |
FDG312P Einzelheiten PDF [English] | FDG312P PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
FDG313N-NL FAIRCHI
FAIRCHILD SOT-363
FDG311N-NL FAIRCHILD
FAIRCHILD SOT-363
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
0.95A, 25V, N-CHANNEL, MOSFET
Son SOT-363
ON SOT-363
FAIRCHILD SOT-363
MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
FAIRCHILD SC70-6
MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
FAIRCHILD SC70-6
FDG312P-NL FAIRCHI
FDG311N_NL FAIRCHILD
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDG312PFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|