Name: Fairchild Semiconductor FDG312P
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: FDG312P
Price: 0.18 USD
Availability: InStock
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Fairchild Semiconductor FDG312P

Artikelnummer:

FDG312P

Hersteller / Marke:

Fairchild (onsemi)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

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$0.18

Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Fairchild Semiconductor FDG312P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDG312P.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-88 (SC-70-6)
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	750mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.2A (Ta)
FDG312P Einzelheiten PDF [English]	FDG312P PDF - EN.pdf

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